Intel et Micron ont annoncé un nouveau type de mémoire NAND permettant d'atteindre des débits de 200 Mo/s en lecture et de 100 Mo/s en écriture.
Cette "high speed NAND" multiplie par cinq les vitesses de transfert, ainsi, les débits obtenus sont de l'ordre de 200 Mo/s en lecture et 100 Mo/s en écriture, contre 40 Mo/s en lecture et 20 Mo/s en écriture jusqu'à présent.
Pour cette mémoire, Intel et Micron ont utilisé la spécification ONFI 2.0 ( Open NAND Flash Interface ) et une architecture à quatre plateaux.
Cet petite révolution permet d'envisager un avenir radieux pour les futurs disques SSD (Solid State Drive) dans nos ordinateurs.
De plus, cette mémoire NAND high speed pourra exploiter la prochaine interface USB 3.0, qui doit offrir des débits de 4,8 Gbps, soit dix fois les débits offerts par l' USB 2.0 !
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